EN
產品中心
聲
光
電
射
手
Digital Smart K
Smart K
Class K
Class D
Class AB
Series backlight LED driver
Parallel backlight LED driver
Breathing LED driver
Flash LED driver
OVP
BOOST
Charger
V-Level translator
Load Switch
Type-C Switch
LDO
MIPI Switch
USB Switch
BUCK
OCP Switch
GPS LNA
FM LNA
LTE LNA
RF switch
GSM PA
Tuner
SAR sensor
Haptic driver
Capacitive touch controller
Stepper motor driver
DC motor driver
VCM driver
Force Sensor AFE
技術與支持
產品手冊
FAQ
技術支持
質量
封裝信息
質量方針
質量體系
社會責任
產品可靠性
產品變更通知
有效期聲明
尋找封裝
SMT和應用手冊
依照封裝查找產品
樣片申請
關于艾為
認識艾為
新聞資訊
加入艾為
聯系我們
艾為簡介
艾為歷程
合作伙伴
艾為大事件
多彩艾為
關注我們
社會招聘
校園招聘

返回

AW3112DNR

30V/3A PNP Low V CESAT BJT, Integrated with 20V Trench NMOSFET

The AW3112 is 30V PNP power bipolar transistor using epitaxial planar technology, integrating with a 20V trench NMOSFET as a switch transistor of base. The AW3112 has low V CESAT and high current gain. It is suitable for linear regulator in battery charging application. AW3112 is available in DFN2mm×2mm-6L package. It is specified among the industrial temperature range of -40℃ and +150℃.

產品特性

l  Low collector-emitter saturation voltage

l  Large current capability

l  High current gain

l  DFN2mm×2mm-6L Package

l  ROHS compliant

Datasheet

Application note

產品型號 文檔格式 大小 下載
AW3112DNR PDF 1M
  • Control Interface
    Operation Mode
    Max Charge Current (A)
    VOREG
    OTG
    Package (mm)
封裝形式 引腳數 長（mm） 寬（mm） 厚（mm） 引腳間距（mm） 散熱盤 文檔下載
DFN 2.0×2.0×0.75 -6L(B) 6 2.0 2.0 0.75 0.65 Y

wechat

隱私政策 | 使用條款

? Copyright 2008-2021 上海艾為電子技術股份有限公司 |   滬ICP備10011954號??Powered by IT

秋葵视频安卓扫码下载-秋葵视频破解版无限次数地址-秋葵视频app下载地址最新